Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
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Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, PECVD or sometimes PCVD, is the process by which chemicals are deposited onto a substrate using a Radio Frequency (RF) Plasma to split the precursors into active ions.
Theory
Precursor chemical enter the chamber (which is generally in high vacuum) at a specified rate, high frequency RF is switched on and a plasma is ignited. Sometimes there is substrate heating to promote reactions.
Input Parameters
Pressure
Temperature
Radio Frequency (High and Low) power ratio
Gas flow ratio
Deposition time
Industry Uses
Semiconductors
Optoelectronics
Anti-reflexion coatings
Scratch-free surfaces
Dielectric deposition Oxi-Nitride.
Metal Deposition - Tungsten
Ex:
Silicon Dioxide, Silicon Nitride, Silicon
Tin oxide, Indium tin oxide
Copper oxide
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2010.
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