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Henrik Schumacher
CMOS
Aubau
FEOL
BEOL
Back end
Front end
Advanced packaging
Auschnitt einer CMOS-Struktur (Schema), die mit in den 2000ern üblichen Fertigungstechniken hergestelllt wurde. Dargestellt werden NMOS- und PMOS-Transistoren mit Kontaktanschlüssen aus Wolfram sowie 5 Metallisierungsebenen aus Kupfer.
Deutsch
CMOS-Struktur in den 2000ern
Dezember 2006
FEOL
back-end /"Advanced Packaging"
BEOL
Cr, Cu and Au liners
lead-freesolder bump
poly-Si gate
STI
p-well
USG
tungsten
buried SiO2
p-silicon wafer
n-well
USG
SOD
SOD
Cu1
PSG
SiN barrierlayer
CoSi2
SiC seal layer
PE-TEOS
Cu 2
SiC etch stop layer
Ta/TaN barrier layer
SiN seal layer
seal layer (nitride or oxide)
PSG
Cu 5
SOD
SOD
n-Si
n-Si
p-Si
p-Si
Cu 4
Cu 4
Cu 4
Cu 5
SiC etch stop layer
spacer
front-end
Cu 3
Cu 2
Cu 2
Legend:
Silicon (Si)
Polysilicon (Poly-Si)
Cobalt disilicide (CoSi2)
Silicon dioxide (TEOS oxide, SiO2)
n-Si
p-Si
Spin-on dielectric (SOD)
Phosphor-silicate glass (PSG)
Tungsten (W)
Copper (Cu)
Silicon nitride (SiN)
Silicon nitride (SiN)
Silicon carbide (SiC)
Undoped silicon glass (USG, SiO2)