Buffered oxide etch

Buffered oxide etch

Buffered oxide etch, also known as buffered HF or BHF, is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is comprised of a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF (typically 49% water) etches silicon dioxide too quickly for good process control. Buffered oxide etch is commonly used for more controllable etching.cite book |title =Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology |last = Wolf |first = S. |coauthors = R.N. Tauber |year=1986 |pages=532-533 |isbn=0-961672-3-7]

A common buffered oxide etch solution comprises a 6:1 volume ratio of NH4F to HF. This solution will etch thermally grown oxide at approximately 2 nanometres per second at 25 degrees Celsius.

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