John Battiscombe Gunn

John Battiscombe Gunn

John Battiscombe (J.B.) Gunn is an Egyptian-born US/British physicist born in 1928.

While working for IBM, in 1963 he invented the Gunn diode based upon the Cyril Hilsum-Ridley-Watkins effect. He is a member of the National Academy of Engineering, and received the 1969 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award.

Selected works

* J. B. Gunn, "Microwave Oscillation of Current in III-V Semiconductors", Solid State Communications, 1 88 (1963).

References

* [http://www.nhn.ou.edu/~johnson/Education/Juniorlab/Microwave/Gunn%20Effect.pdf The Gunn Effect]
* [http://www.britannica.com/eb/article-9038528/Gunn-effect Encyclopedia Britannica: the Gunn Effect]
* [http://www.nae.edu/nae/naepub.nsf/Members+By+UNID/6B8445EA77202AEB85256FFC004A4CE4?opendocument National Academy of Engineering entry]


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