SOI MOSFET

SOI MOSFET

In electronics, an SOI MOSFET semiconductor device is a Silicon on Insulator (SOI) MOSFET structure in which a semiconductor layer, e.g. silicon, germanium or the like, is formed above an insulator layer which may be a buried oxide (BOX) layer formed in a semiconductor substrate. [United States Patent 6,835,633 "SOI wafers with 30-100 Ang. Buried OX created by wafer bonding using 30-100 Ang. thin oxide as bonding layer"] [United States Patent 7,002,214 "Ultra-thin body super-steep retrograde well (SSRW) FET devices"] ["Ultrathin-body SOI MOSFET for deep-sub-tenth micron era"; Yang-Kyu Choi; Asano, K.; Lindert, N.; Subramanian, V.; Tsu-Jae King; Bokor, J.; Chenming Hu; Electron Device Letters, IEEE; Volume 21, Issue 5, May 2000 Page(s):254 - 255] SOI MOSFET devices are adapted for use by the computer industry.Fact|date=October 2008 The buried oxide layer can be used in SRAM memory designs. [United States Patent 7138685 " Vertical MOSFET SRAM cell" describes SOI Buried Oxide (BOX) structures and methods for implementing enhanced SOI BOX structures.]

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